| 发明名称 |
CIRCUIT INTEGRE CMOS ET PROCEDE DE FABRICATION DE SES ZONES D'ISOLATION ELECTRIQUE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2610140(B1) |
申请公布日期 |
1990.04.20 |
| 申请号 |
FR19870000860 |
申请日期 |
1987.01.26 |
| 申请人 |
COMMISSARIAT A ENERGIE ATOMIQUE |
发明人 |
PIERRE JEUCH |
| 分类号 |
H01L21/76;H01L21/033;H01L21/308;H01L21/762;H01L21/763;H01L27/08;(IPC1-7):H01L21/76;H01L21/306;H01L29/80 |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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