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Transistor supraconducteur de type Gray comprenant une première et une deuxième couche supraconductrice (1, 2) qui constituent respectivement les électrodes de l'émetteur et de la base. Ces couches ont sensiblement le même intervalle entre les bandes d'énergie. Une première couche isolante (4) est prise entre la première et la deuxième couche supraconductrice. Une troisième couche supraconductrice (3), qui forme l'électrode du collecteur, est séparée de la deuxième couche supraconductrice par une deuxième couche isolante (5). Les couches isolantes sont suffisamment fines pour permettre l'effet tunnel. Dans les transistors conventionnels de type Gray, l'intervalle de la couche du collecteur est le même que celui des couches de l'émetteur et de la base, et on a remarqué que dans un tel transistor le gain en courant diminue fortement avec l'augmentation de la température de fonctionnement du transistor. On décrit ici une couche de collecteur à base d'un matériau ayant un intervalle plus grand que celui des couches de l'émetteur et de base. On obtient ainsi une série de courbes gain de courant/température se caractérisant par des régions essentiellement horizontales. |
