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发明名称 MANUFACTURE OF INSULATED GATE-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号 JPH02105466(A) 申请公布日期 1990.04.18
申请号 JP19880258647 申请日期 1988.10.13
申请人 NEC CORP 发明人 ISHII MASAKI
分类号 H01L21/3205;H01L29/423;H01L29/43;H01L29/49;H01L29/78 主分类号 H01L21/3205
代理机构 代理人
主权项
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