| 发明名称 |
ELECTRICALLY-PROGRAMMABLE AND ELECTRICALLY-ERASABLE MOS MEMORY DEVICE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0085550(B1) |
申请公布日期 |
1990.04.18 |
| 申请号 |
EP19830300450 |
申请日期 |
1983.01.28 |
| 申请人 |
SEEQ TECHNOLOGY, INCORPORATED |
发明人 |
PERLEGOS, GEORGE |
| 分类号 |
H01L27/112;G11C16/04;H01L21/8246;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792 |
主分类号 |
H01L27/112 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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