Dynamic random access memory device having a plurality of one transistor type memory cells,申请号US19880181030-传众专利搜索

发明名称	Dynamic random access memory device having a plurality of one transistor type memory cells
摘要
申请公布号	US4918503(A)	申请公布日期	1990.04.17
申请号	US19880181030	申请日期	1988.04.13
申请人	NEC CORPORATION	发明人	OKUYAMA, YASUSHI
分类号	H01L27/04;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/10;H01L27/108;H01L29/94	主分类号	H01L27/04
代理机构		代理人
主权项
地址