PROCESS FOR FORMING SUPERCONDUCTING THIN FILM

摘要

Procédé de formation d'un mince film supraconducteur consistant à former une mince couche d'oxyde supraconducteur contenant du bismuth sur un substrat par un procédé de développement chimique en phase de vapeur où l'on utilise du triphénylbismuth Bi(C6H5)3 en tant que source de gaz pour ledit bismuth. Ce procédé permet d'obtenir une mince couche supraconductrice présentant une surface lisse dépourvue de défauts ainsi que d'excellentes propriétés supraconductrices. Lorsque le substrat est susceptible de s'oxyder, au moins une couche monoatomique, 47a et 47b, est formée au-dessus de ladite couche de substrat avant la formation de la mince couche supraconductrice. Cet agencement assure le transport stable du gaz de développement et empêche l'oxydation du substrat.