发明名称 |
可关断的半导体元件 |
摘要 |
在具有直接压力接触的可关断的GTO型半导体元件中,使阳极金属化与阴极侧的栅-阴结构相匹配,可在指条状阴极(7)的区域内实现局部压力平衡,改善了交流负载电阻,并扩大了允许压力范围。 |
申请公布号 |
CN1041066A |
申请公布日期 |
1990.04.04 |
申请号 |
CN89107592.5 |
申请日期 |
1989.08.19 |
申请人 |
亚瑞亚·勃朗勃威力有限公司 |
发明人 |
安德烈·杰克林;埃扎托尔·拉梅扎尼;托马斯·弗拉沙克 |
分类号 |
H01L23/48 |
主分类号 |
H01L23/48 |
代理机构 |
中国专利代理有限公司 |
代理人 |
肖掬昌;曹济洪 |
主权项 |
1、一种可关断的半导体元件,它包括: (a)含有不同掺杂层(2a-2d)的半导体晶片(2),这些层被安排在阳极和阴极之间,并由它们形成由栅关断的栅关断晶闸管(GTO); (b)在半导体晶片(2)的阴极侧上的精细分开的栅一限结构,该结构的许多类似岛状的指条状阴极(7)被栅极区所环绕。 (c)指条状阴极(7)上的阴极金属化; (d)半导体晶片(2)的阳极侧的阳极金属化,以及 (e)阳极接触(3)和阴极接触(1),这两个接触分别被压到阳极金属化(4)上,或以许多局部有限的区域压到阴极金属化上,以实现接触,其特征在于: (f)阳极金属化(4)具有精细分开的结构,使得阳极接触(3)也以许多局部有限的区域压到阳极金属化上;以及 (g)被阳极接触(3)所压的区域设置在被阴极接触(1)所压的区域的对面。 |
地址 |
瑞士巴登 |