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Zur Erzeugung einer eingeprägten Offsetspannung für einen Differentialkomparator wird eine Schaltungsanordnung in komplementärer MOS-Technik vorgeschlagen, bei der die Offsetspannung durch das Design der Transistoren eingeprägt wird. Dazu werden die Geometrien (W/L) der Eingangsdifferenztransistoren (M1, M2; M11, M12) symmetrisch und die Geometrien (W/L) der zugeordneten Lasttransistoren (M3, M4; M13, M14) unsymmetrisch ausgelegt, sowie die Geometrien (W/L) der Transistoren der Ausgangstreiberschaltung (M6 bis M9; M16, M17) an die so erzeugte Arbeitscharakteristik des Differentialkomparators angepasst.
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