发明名称 Production of thin films of a high temperature superconductor by a plasma-activated PVD process.
摘要 Beim erfindungsgemäßen Verfahren wird in einem kathodischen Lichtbogenverdampfungsprozeß Material von einer Kathode abgedampft und auf einem Substrat abgeschieden, wobei der Lichtbogenfußpunkt regellos oder gesteuert auf der Kathodenoberfläche bewegt wird. Vorzugsweise werden beim Lichtbogenverdampfungsprozeß wenigstens zwei Kathoden aus unterschiedlichen Legierungen bzw. Mischungen der metallischen Komponenten des Hochtemperatur-Supraleiters (HTSL) von jeweils einem Lichtbogen zur Verdampfung aktiviert und werden die aus den unterschiedlichen Legierungen abgedampften Materialien gemeinsam auf dem Substrat abgeschieden, wobei der Lichtbogenverdampfungsprozeß reaktiv unter Sauerstoffatmosphäre vorgegebenen O2-Partialdruckes erfolgt. Eine Wärmebehandlung zur Einstellung der für die Supraleitung geeigneten Struktur und Sauerstoffstöchiometrie kann anschließend und/oder bereits beim Aufdampfprozeß durchgeführt werden.
申请公布号 EP0361265(A1) 申请公布日期 1990.04.04
申请号 EP19890117242 申请日期 1989.09.18
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 FRELLER, HELMUT;SCHACK, PETER
分类号 C04B41/87;C01B13/14;C01G1/00;C01G3/00;C01G15/00;C01G29/00;C04B35/45;C23C14/08;C23C14/24;C23C14/32;H01B12/06;H01B13/00;H01L39/24 主分类号 C04B41/87
代理机构 代理人
主权项
地址