发明名称 DISPOSIZIONE CIRCUITALE PER PREVENIRE FENOMENI DI INNESTO IN TRANSISTORI PNP VERTICALI CON COLLETTORE ISOLATO
摘要
申请公布号 IT9019862(D0) 申请公布日期 1990.03.29
申请号 IT19900019862 申请日期 1990.03.29
申请人 SGS-THOMSON MICROELECTRONICS SRL 发明人 BERTOTTI FRANCO;FERRARI PAOLO
分类号 H01L27/06;H01L21/331;H01L27/02;H01L29/73;H01L29/732;(IPC1-7):H01L/ 主分类号 H01L27/06
代理机构 代理人
主权项
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