| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种制造带有半自对准p+型基极接触(27、27a)的双极晶体管(1)。p型基区28形成在n型区(5)的表面区中，n型区5具有一个集电极。例如是n+掺杂多晶硅的且具有一个发射极的电极区(29)形成在与基区28接触的表面上。基区接触区(27、27a)是利用注入方式且把电极区(29)作为掩模而形成的。使n+型集电极接触区(25)伸到n型区(5)中。 | ||
| 申请公布号 | CN1007389B | 申请公布日期 | 1990.03.28 |
| 申请号 | CN86103793.6 | 申请日期 | 1986.05.31 |
| 申请人 | 标准电话电报公共有限公司 | 发明人 | 彼得·丹尼斯·斯科维尔;彼得·弗里德·布洛姆利;罗格·莱斯利·巴克 |
| 分类号 | H01L21/82;H01L29/72 | 主分类号 | H01L21/82 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种制造带有半自对准基板接触的双极晶体管的方法，其特征在于包括下列步骤：在一种导电类型和硅衬底的表面区域中形成另一种导电类型的基区，该表面区域上有一绝缘层，该基区通过经绝缘层注入的方法形成；在所述绝缘层上提供窗口把所述基区暴露出来，在整个绝缘层和所述窗口上淀积多晶硅；除去除了窗口区域及紧靠该窗口的绝缘层以外的淀积多晶硅，从而在绝缘层上限定出通过所述窗口与基区接触的多晶硅元件，将该多晶硅元件掺杂成第一种导电类型，构成晶体管的发射极；在所述与基区接触的表面区域的相对两侧，用多晶硅发射极作为掩膜并通过经绝缘层的注入形成第二种导电类型的一对基极接触区；在所述表面区域上离开基极接触区域的地方形成一种导电类型的集电极接触。 | ||
| 地址 | 英国伦敦 | ||