| 摘要 |
<P>La présente invention concerne un transistor MOS composite réalisé dans un substrat d'un premier type de conductivité comprenant une électrode de grille G1, une première électrode principale A1, une deuxième électrode principale A2, et une zone de substrat 60. Un commutateur auxiliaire réalisé dans le substrat, comprenant des transistors MOS 52, 53 permet de connecter à la zone de substrat celle des première et deuxième électrodes principales qui est au plus faible potentiel.</P>
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