| 摘要 |
<P>Cette invention fournit un procédé pour réaliser le contact minimal du dispositif semiconducteur, dans lequel la résolution est améliorée lorsque le contact est réalisé en utilisant un type rectangulaire de masque D2, D3 pour le contact minimal, dans le processus de lithographie, une étape parmi les processus de fabrication du dispositif semiconducteur. Le procédé selon l'invention permet de minimiser la partie de contact et de réduire la dimension de microplaquette du dispositif semiconducteur à haute densité.</P> |
