| 摘要 |
Un appareil électronique à intégration monolithique comprend au moins un transistor (2) dont le collecteur est connecté à une ligne qui vient de l'extérieur et dans laquelle des tensions alternatives de haute fréquence sont influencées par des champs magnétiques extérieurs de haute fréquence, tels ceux qui sont générés à proximité d'émetteurs puissants, avec des amplitudes d'un ordre similaire de grandeur, de préférence supérieures à la tension continue présente à peu près au même instant entre le collecteur et l'émetteur. La transition pn normalement bloquée, formée par la zone collectrice et par au moins une zone adjacente à dopage inverse, est ainsi polarisée, dans le sens de passage, par la tension alternative influencée de haute fréquence dans le domaine des demi-ondes négatives ou positives, générant des courants directs continus moyens qui servent de courants de base et qui connectent le transistor (2) antérieurement bloqué. Une résistance suffisante (4) de faible impédance située entre la base et l'émetteur du transistor (2) à maintenir bloqué empêche le transistor (2) d'être connecté dans le domaine de la tension alternative influencée de haute fréquence. |
