P-N结串联温度传感器

摘要

本发明公开了一种由多个P-N结串联而组成的温度传感器。方法是在单晶外延硅片上做二个以上的三极管，它们有共同的集电极。将这些二个以上三极管的基极、发射极相互串联，就得到二个以上的P-N结串联的温度传感器。这种传感器工艺过程简单、成本低、而灵敏度却比单个P-N结温度传感器提高n倍(n为P-N结个数)。

主权项

1、一种由P-N结串联所组成的温度传感器，其特征在于这种P-N结串联温度传感器是由二个以上的P-N结串联所组成的，即在N型单晶硅片上直接做二个以上的三极管(N-p-N)，它们有共同的集电极(1)，将上述二个以上的三极管基极(4)、发射极(5)相互串联而构成二个以上p-N结串联温度传感器。