| 摘要 |
Cellule de mémoire JCMOS comprenant un transistor bipolaire destiné à inscrire une charge dans le condensateur de cellule, et un JFET destiné à la lecture (non destructive). L'invention décrit la nécessité de prendre des mesures spéciales afin d'isoler les cellules de mémoire JCMOS, afin de permettre leur utilisation avec la technologie CMOS sur un substrat commun. Dans l'isolation par ''barrière physique'', comme décrit, on réalise des tranchées (19) entre les sources respectives (34) des cellules JCMOS. D'autres tranchées (100) sont réalisées pour séparer les drains (36) des colonnes adjacentes de cellules. Dans l'isolation de ''diffusion d'îlot'', comme décrit, on place chaque cellule JCMOS sur un ''substrat d'îlot'' (97) mis à la terre, et le IGFET (29) de la paire de CMOS dont le canal de la matière à polarité est opposée à celle du substrat de puce dans son ensemble (99), est réalisé dans un puits (26) qui est séparé du substrat dans son ensemble par un implant d'îlot profond (25). Le substrat dans son ensemble (99) et l'implant profond (25) sont tous deux isolés électriquement. |
