发明名称 半导体压力变换装置
摘要 半导体压力变换装置,其中与硅片相连的固定盘由两个彼此叠加在一起的构件构成,第一固定盘的纵向弹性模量与半导体膜片的纵向弹性模量明显不同,第一固定盘具有高的绝缘性,它的线膨胀系数近似等于半导体膜片的线膨胀系数,另一方面,制成第二固定盘的材料的纵向弹性模量和线膨胀系数近似等于半导体膜片的纵向弹性模量和线膨胀系数。
申请公布号 CN1040681A 申请公布日期 1990.03.21
申请号 CN89106647.0 申请日期 1989.08.30
申请人 株式会社日立制作所 发明人 飞田朋之;佐濑昭;山本芳己;田智
分类号 G01L13/06 主分类号 G01L13/06
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人 王以平
主权项 1、半导体压力变换装置,它有 一个半导体(膜)片,该(膜)片包括一个小厚度部分和在其圆周边设置的一个大厚度部分; 在所说的小厚度部分形成的一组压差检测电阻; 在所说的大厚度部分形成的一组静压检测电阻; 一个与所说大厚度部分上形成静压检测电阻的表面相对的表面相连结的第一固定盘,该固定盘的纵向弹性模量与所说半导体膜片的纵向弹性模量明显不同,所说第一固定盘具有高的绝缘性,它的线膨胀系数大约等于所说半导体(膜)片的线膨胀系数; 其特征在于,还有一个与所说第一固定盘的与大厚度部分相连的表面相对的表面相连的第二固定盘,所说第二固定盘的纵向弹性模量和线膨胀系数近似等于所说半导体(膜)片的纵向弹性模量和线膨胀系数。
地址 日本东京都