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发明名称 Method for incrementally increasing the collector area of a lateral PNP transistor during electrical testing of an integrated device on wafer
摘要
申请公布号 US4910159(A) 申请公布日期 1990.03.20
申请号 US19880288163 申请日期 1988.12.22
申请人 SGS-THOMSON MICROELECTRONICS, S.R.L 发明人 BERTOTTI, FRANCO;FERRARI, PAOLO;FORONI, MARIO;GATTI, MARIA T.
分类号 G01R31/30;H01L21/66;H01L29/08;H01L29/36 主分类号 G01R31/30
代理机构 代理人
主权项
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