| 摘要 |
<P>La présente invention concerne une diode active de protection contre des tensions inverses d'une structure monolithique qui comporte une partie logique et une partie de puissance de type à transistor MOS vertical. La partie logique est constituée de transistors MOS classiques TL-1 situés dans un caisson 64 d'un premier type de conductivité formé dans un substrat 60 du deuxième type de conductivité, la face arrière 74 du substrat correspondant au drain du transistor MOS vertical. La diode active comprend un transistor MOS TS dont la grille 65 est commandée par une tension dont le signe est représentatif de la polarité de la tension d'alimentation, dont la région de drain 67 est connectée à la masse, et une zone 71 profonde à dopage élevé du premier type de conductivité s'étendant à partir de la surface supérieure 69 du caisson 64, cette zone étant reliée à la source 66 du transistor MOS.</P>
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