发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING A MOS TRANSISTOR, AND METHOD OF MAKING THE SAME
摘要
申请公布号 EP0262370(A3) 申请公布日期 1990.03.14
申请号 EP19870112036 申请日期 1987.08.19
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA;TOSHIBA COMPONENTS CO., LTD. 发明人 YAKUSHIJI, SHIGENORI C/O PATENT DIVISION;JITSUKATA, KOUJI A1-1, TOSHIBA-DAISAN-MIYUKI-RYO
分类号 H01L21/336;H01L21/8249;H01L27/06;H01L29/10;H01L29/74;H01L29/749;H01L29/78;H01L29/87;(IPC1-7):H01L27/06;H01L21/82;H01L29/743 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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