Process for the formation of a functional deposited film containing group IV atoms or silicon atoms and group IV atoms by microwave plasma chemical vapor deposition process,申请号US19890302245-传众专利搜索

发明名称	Process for the formation of a functional deposited film containing group IV atoms or silicon atoms and group IV atoms by microwave plasma chemical vapor deposition process
摘要
申请公布号	US4908330(A)	申请公布日期	1990.03.13
申请号	US19890302245	申请日期	1989.01.27
申请人	CANON KABUSHIKI KAISHA	发明人	ARAI, TAKAYOSHI;KANAI, MASAHIRO;KAWAKAMI, SOICHIRO;MURAKAMI, TSUTOMU
分类号	C23C16/452;C23C16/511;C23C16/52	主分类号	C23C16/452
代理机构		代理人
主权项
地址