MEASURING METHOD FOR DEPTH OF GROOVE OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE,申请号JP19880211221-传众专利搜索

发明名称	MEASURING METHOD FOR DEPTH OF GROOVE OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
摘要
申请公布号	JPH0259603(A)	申请公布日期	1990.02.28
申请号	JP19880211221	申请日期	1988.08.24
申请人	NEC CORP	发明人	NOZUE HIROSHI
分类号	G01B11/22;H01L21/66;H01L21/76	主分类号	G01B11/22
代理机构		代理人
主权项
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