发明名称 |
Process for preparation of solar grade silicon. |
摘要 |
Verfahren zur Herstellung von Silicium durch Umsetzung von gasförmigen Siliciumverbindungen der allgemeinen Formel SiHnX4-n, wobei X Halogen bedeutet und n Werte von 0 bis 3 annehmen kann, mit Aluminium, wobei bei der Umsetzung eine feinverteilte schmelzflüssige Oberfläche, bestehend aus reinem Aluminium oder einer Al-Si-Legierung, mit der gasförmigen Siliciumverbindung intensiv kontaktiert wird.
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申请公布号 |
EP0355337(A1) |
申请公布日期 |
1990.02.28 |
申请号 |
EP19890112082 |
申请日期 |
1989.07.01 |
申请人 |
BAYER AG |
发明人 |
KURZ, GUNTER, DR.;ABELS, MARTIN;SCHWIRTLICH, INGO, DR.;WODITSCH, PETER, DR. |
分类号 |
C01B33/033 |
主分类号 |
C01B33/033 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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