Process for manufacturing silicon boron nitride layers for integrated semiconductor circuits.

摘要

Siliziumbornitridschichten, die als Intermetallisations- und/oder Endpassivierungsschichten eingesetzt werden können, werden unter Verwendung flüssiger Ausgangsverbindungen, die bereits einen Teil der Zielzusammensetzung der herzustellenden Siliziumbornitridschicht molekular enthalten, durch chemische Dampfabscheidung in einem elektromagnetischen Wechselfeld hergestellt. Die so hergestellen Siliziumbornitridschichten weisen eine Dielektrizitätskonstanteεauf, deren Wert kleiner als 4ε0 ist und zeichnen sich durch gute Isolations- und Sperreigenschaften und eine hohe Durchbruchfestigkeit aus.