发明名称 | 宽束冷阴极离子源 | ||
摘要 | 本实用新型是宽束冷阴极离子源,用于薄膜离子束辅助淀积的装置,其主要部件是冷阴极、阳极和一个以上多孔引出栅组成的放电室,放电室处于永磁体形成的磁场中,该离子源可安装于各类真空镀膜机中,具有离子束束流密度和离子能量调节范围大,束径大,束流分布均匀,寿命长,性能受工作气体种类影响小。本实用新型结构简单,制造容易,使用方便,并广泛使用于铝、银、金、硫化锌、氟化镁及多种氧化物薄膜的离子束辅助淀积,比用常规工艺制得的薄膜强度高,化学稳定性和光学稳定性优良。 | ||
申请公布号 | CN2053796U | 申请公布日期 | 1990.02.28 |
申请号 | CN89217519.2 | 申请日期 | 1989.10.06 |
申请人 | 西安工业学院 | 发明人 | 严一心;夏慧琴;卢进军;王树棠;刘吉祥;刘卫国 |
分类号 | H01J27/04 | 主分类号 | H01J27/04 |
代理机构 | 国家机械委军工专利事务所 | 代理人 | 王松山 |
主权项 | 1、一种宽束冷阴极离子源,由冷阴极[1],阴极座[6],阳极[2]、永磁体[5]和一个以上的多孔引出栅[3]、[4]组成,其特征在于采用阳极径向尺寸10~200mm,截面为园形、椭园形和多边形的柱状或锥状;离子束引出系统由一个以上的多孔引出栅构成;阳极、冷阴极和多孔栅构成放电室;放电室周围放置钴合金永磁体。 | ||
地址 | 陕西省西安市金花北路七号710032 |