| 发明名称 |
ETCHING METHOD USING CARBON OR MASK MAINLY COMPRISING CARBON |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
JPH0258221(A) |
申请公布日期 |
1990.02.27 |
| 申请号 |
JP19880209724 |
申请日期 |
1988.08.23 |
| 申请人 |
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD |
发明人 |
ITO KENJI;AOYANAGI OSAMU |
| 分类号 |
H01L21/302;H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/308;H01L21/311;H01L21/3213 |
主分类号 |
H01L21/302 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
