| 发明名称 |
PROCEDE DE NEUTRALISATION DES ATOMES ACCEPTEURS DANS INP DE TYPE P |
| 摘要 |
Ce procédé consiste à épitaxier une couche 4 d'InP dopé p puis une couche 6 de Ga0 , 4 7 In0 , 5 3 As non intentionnellement dopé sur un substrat semi-isolant 2 d'InP, puis à hydrogéner la couche d'InP en soumettant l'ensemble à un plasma d'hydrogène 8 ayant une densité de puissance inférieure à 0,07 W/cm**2 ou au plus égale à 250 degre(s)C.
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| 申请公布号 |
FR2635611(A1) |
申请公布日期 |
1990.02.23 |
| 申请号 |
FR19880010983 |
申请日期 |
1988.08.18 |
| 申请人 |
CENTRE NAL RECHERC SCIENTIFIQUE;ETAT FRANCAIS CNET |
发明人 |
BENOIT ROSE;ANDREI MIRCEA;JACQUES CHEVALLIER;JEAN-CLAUDE PESANT |
| 分类号 |
H01L21/205;H01L21/20;H01L21/265;H01L21/324;H01L21/76 |
主分类号 |
H01L21/205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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