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<P>L'invention concerne la technologie des semi-conducteurs.</P><P>L'invention vise à améliorer la résistance au claquage de transistors MOSFET de puissance qui sont intégrés dans un ensemble de cellules élémentaires formées sur un même substrat semiconducteur. Dans ce but, une couche p**+ 24 est formée aux quatre coins d'une couche de source 3. Les résultats de tests indiquent qu'un MOSFET de puissance ayant cette structure présente une capacité de résistance à un phénomène d'avalanche 10 fois supérieure à celle d'un dispositif de l'art antérieur.</P><P>Application aux réseaux de transistors MOS de puissance.</P>
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