发明名称 |
低温烧结的含铅系压电陶瓷及其制造方法 |
摘要 |
低温烧结的含铅系压电陶瓷及其制造方法,属于压电陶瓷及其制造领域,该种陶瓷的典型基本组份为:Pb1-xAx(B11/3 BH2/3)y(B1y1/3 B■2/3)2TiwO3+q1wt% MnO2+q2wt%SiO2+q3wt%Pb3O4+q4wt%Bi2O3+q5wt%B2O3,其中A为镉,B′为镁,B″为铌,B″′为镍,B″″为铌。该种陶瓷材料能在840℃~1000℃下烧成,工艺简单,性能优良,成本降低,可以广泛用来制压电陶瓷蜂鸣器、压电点火器、换能器、滤波器以及各种独石型压电器件。 |
申请公布号 |
CN1006941B |
申请公布日期 |
1990.02.21 |
申请号 |
CN88100350.6 |
申请日期 |
1988.02.06 |
申请人 |
清华大学 |
发明人 |
桂治轮;李龙土;张孝文;高素华;孙红飞;刘玉顺 |
分类号 |
H01L41/187;H01B3/12;C04B35/49 |
主分类号 |
H01L41/187 |
代理机构 |
清华大学专利事务所 |
代理人 |
王兵 |
主权项 |
1.一种低温烧结的含铅系压电陶瓷,其特征在于材料的基本组分为:Pb1-x Ax(B1y3 By113)y(B1y1/3 B16H2/3)z Zru TiwO3+q1wt% MnO2+q2wt% SiO2+q3wt% Pb304+q4wt% Bi2O3+q5wt% B2O3其中,A=Cd B′=Mg B″=Nb B″′=Ni B″″=Nb0.005≤X≤0.08, 0≤y≤0.40, 0≤z≤0.400<u≤0.60, 0<w≤0.80, y+z+u+w=10.05≤q1≤1.0wt% 0<q2≤1.0wt%0<q3≤4.0wt% 0≤q4≤1.0wt%0≤q5≤1.0wt% |
地址 |
北京市海淀区清华园 |