发明名称 低温烧结的含铅系压电陶瓷及其制造方法
摘要 低温烧结的含铅系压电陶瓷及其制造方法,属于压电陶瓷及其制造领域,该种陶瓷的典型基本组份为:Pb1-xAx(B11/3 BH2/3)y(B1y1/3 B■2/3)2TiwO3+q1wt% MnO2+q2wt%SiO2+q3wt%Pb3O4+q4wt%Bi2O3+q5wt%B2O3,其中A为镉,B′为镁,B″为铌,B″′为镍,B″″为铌。该种陶瓷材料能在840℃~1000℃下烧成,工艺简单,性能优良,成本降低,可以广泛用来制压电陶瓷蜂鸣器、压电点火器、换能器、滤波器以及各种独石型压电器件。
申请公布号 CN1006941B 申请公布日期 1990.02.21
申请号 CN88100350.6 申请日期 1988.02.06
申请人 清华大学 发明人 桂治轮;李龙土;张孝文;高素华;孙红飞;刘玉顺
分类号 H01L41/187;H01B3/12;C04B35/49 主分类号 H01L41/187
代理机构 清华大学专利事务所 代理人 王兵
主权项 1.一种低温烧结的含铅系压电陶瓷,其特征在于材料的基本组分为:Pb1-x Ax(B1y3 By113)y(B1y1/3 B16H2/3)z Zru TiwO3+q1wt% MnO2+q2wt% SiO2+q3wt% Pb304+q4wt% Bi2O3+q5wt% B2O3其中,A=Cd B′=Mg B″=Nb B″′=Ni B″″=Nb0.005≤X≤0.08, 0≤y≤0.40, 0≤z≤0.400<u≤0.60, 0<w≤0.80, y+z+u+w=10.05≤q1≤1.0wt% 0<q2≤1.0wt%0<q3≤4.0wt% 0≤q4≤1.0wt%0≤q5≤1.0wt%
地址 北京市海淀区清华园