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发明名称 Process for making BiCMOS integrated circuit having a shallow trench bipolar transistor with vertical base contacts
摘要
申请公布号 US4902639(A) 申请公布日期 1990.02.20
申请号 US19890388885 申请日期 1989.08.03
申请人 MOTOROLA, INC. 发明人 FORD, JENNY M.
分类号 H01L29/73;H01L21/331;H01L21/8249;H01L27/06;H01L29/732 主分类号 H01L29/73
代理机构 代理人
主权项
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