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发明名称 APPARATUS FOR TREATING COMPOUND SEMICONDUCTOR HAVING HIGH DISSOCIATION PRESSURE
摘要
申请公布号 JPH0248500(A) 申请公布日期 1990.02.19
申请号 JP19880198649 申请日期 1988.08.09
申请人 MITSUBISHI METAL CORP 发明人 SHIRATA TAKAHARU;TOMIZAWA KENJI;SHINYA NOBUHIRO
分类号 C30B15/00;C30B35/00 主分类号 C30B15/00
代理机构 代理人
主权项
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