| 摘要 |
<p>La présente invention concerne une mémoire non-volatile électriquement programmable, composée d'un réseau de lignes de mot (LM2) s'étendant suivant des rangées, reliant des grilles de commande de transistors à grille flottante (23), et de lignes de bit (LB1, LB2) s'étendant suivant des colonnes, reliant des drains des transistors à grille flottante (23). Une zone conductrice (35), de dimensions supérieures à celles de la grille flottante (23) des transistors suivant un plan horizontal, est reliée à la grille flottante (23) de chaque transistor de la mémoire, tout en étant située en regard de la ligne de mot (LM2) correspondante dont elle est séparée par une couche d'isolement (28).</p> |
