| 发明名称 | 铁硅铝合金磁膜及其制造方法和用途 | ||
| 摘要 | 本发明涉及铁硅铝合金磁膜及其制造方法和叠层薄膜磁头，所述磁膜有一基底和在其上形成的铁硅铝合金膜，所述基底的热膨胀系数比上述铁硅铝含金膜的低，将上述合金膜的氩含量控制在0.01至0.3％重量比的范围内，以使膜中的内应力基本为零。通过过用DC溅射装置向基底提供RF偏压并控制组分的重量比来淀积上述磁膜。用本发明的磁膜制造的叠层薄膜磁头具有矫顽力低、导磁率高的良好磁性能。 | ||
| 申请公布号 | CN1006831B | 申请公布日期 | 1990.02.14 |
| 申请号 | CN86106790.8 | 申请日期 | 1986.10.07 |
| 申请人 | 日本矿业株式会社 | 发明人 | 斋藤和宏;森泰一 |
| 分类号 | H01F10/14;H01F10/26;H01F41/18;G11B5/31 | 主分类号 | H01F10/14 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人 | 王以华 |
| 主权项 | 1.一种铁硅铝合金磁膜，由基片以及在基片上形成的铁硅铝合金膜构成，所述基片的热膨胀系数为100～135×10-7度-1，其特征在于所述铁硅铝合金膜的热膨胀系数为110～170×10-7度-1，所述合金膜中的含氩量在0.01～0.3％重量比的范围内。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||