Die Gate-Sourcekapazität eines Leistungs-MOSFET (1) kann durch zwei anodenseitig miteinander verbundene, katodenseitig mit dem Gate- bzw. Sourceanschluß verbundene integrierte Zenerdioden (3, 4) gegenseitig positive und negative Überspannungen geschützt werden. Beim Anlegen einer Steuerspannung schaltet aber der parasitäre Bipolartransistor einer der Zenerdioden ein und verhindert ein vollständiges Einschalten des MOSFET. Der parasitäre Bipolartransistor wird dadurch unschädlich gemacht, daß der Anodenschluß bei Anlegen einer Gate-Sourcespannung mit dem Sourceanschluß (S) des MOSFET (1) verbunden wird.
