| 摘要 |
<P>L'invention concerne les matrices photosensibles.</P><P>Chaque point photosensible de cette matrice est constitué par une capacité CS et deux diodes DP, DL. La capacité CS est connectée entre un conducteur de ligne Li et un noeud commun flottant A. Une photodiode DP est connectée entre le noeud flottant A et une source de tension de référence VR qui la polarise en inverse. Une diode de lecture DL de petites dimensions donc de faible capacité est connectée entre le noeud flottant A et un conducteur de colonne. Cette structure permet de réaliser une matrice ayant une capacité de colonne réduite; elle permet donc un meilleur transfert de charges des photodiodes vers le circuit de lecture CL connecté en bout de colonne.</P>
|
