| 发明名称 |
DIRETTA. DISPOSITIVO A SEMICONDUTTORE INTEGRATO CON DRASTICA RIDUZIONE DEI FENOMENI DI ROTTURA SECONDARIA |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
IT1215230(B) |
申请公布日期 |
1990.01.31 |
| 申请号 |
IT19850019050 |
申请日期 |
1985.01.08 |
| 申请人 |
SGS-ATES COMPONENTI ELETTRONICI S.P.A. ORA SGS THOMSON MICROELECTRO |
发明人 |
FLAVIO VILLA;BRUNO MURARI;FRANCO BERTOTTI;ALDO TORAZZINA;FABRIZIO STEFANI |
| 分类号 |
H01L21/8222;H01L21/331;H01L27/02;H01L27/06;H01L27/082;H01L27/102;H01L29/73;(IPC1-7):H01L/ |
主分类号 |
H01L21/8222 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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