| 发明名称 |
Sputtering chamber structure for high-frequency bias sputtering process |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US4897172(A) |
申请公布日期 |
1990.01.30 |
| 申请号 |
US19880236384 |
申请日期 |
1988.08.24 |
| 申请人 |
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA |
发明人 |
KATSURA, TOSHIHIKO;ABE, MASAHIRO |
| 分类号 |
H01L21/31;C23C14/34;C23C14/35;C23C14/56;H01J37/34;(IPC1-7):C23C14/44 |
主分类号 |
H01L21/31 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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