发明名称 DC VOLTAGE MULTIPLIER THAT CAN BE INCORPORATED INTO A SEMICONDUCTING STRUCTURE
摘要 <p>MULTIPLICATEUR DE TENSION CONTINUE POUVANT ETRE INTEGRE A UNE STRUCTURE SEMICONDUCTRICE. L'invention concerne un multiplicateur de tension continue pouvant être intégré à une structure semiconductrice. Le multiplicateur comprend un condensateur (C) se chargeant et se déchargeant au rythme d'un signal d'horloge (S), un transistor MOS à déplétion (16) monté en résistance et permettant la décharge du condensateur (C). L'invention permet l'intégration du multiplicateur sur un substrat semiconducteur et notamment pour la commande d'un VD MOS (1). Figure 7.</p>
申请公布号 CA1265192(A) 申请公布日期 1990.01.30
申请号 CA19870533758 申请日期 1987.04.03
申请人 THOMSON-CSF 发明人 NADD, BRUNO
分类号 H01L27/04;H01L27/06;H01L29/78;H02M3/07;H03K17/687;(IPC1-7):H02M3/07 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人
主权项
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