一种金属氧化物半导体场效应晶体管

摘要

一种金属氧化物半导体场效应晶体管，它由第一导电类型的衬底、第二导电类型的源、漏区、栅氧化层和栅极构成。衬底为N型<100>硅，源、漏区由离子注入掺杂P型硅或掺杂N型硅组成。栅氧化层采用掺氟氧化工艺，在800℃或更低温度下氧化和氟处理形成，其界面为单个原子层平整，点电荷数在1×10¹⁰/厘米²量级范围中，从而满足了沟道载流子散射少，电流波动小以及浅结、短沟道要求。是一种高速、低噪声晶体管。

主权项

1、一种金属氧化物半导体场效应晶体管，包括一个第一导电类型的衬底、一个第二导电类型的源区、一个第二导电类型的漏区、一个栅氧化层以及栅极。衬底为元素半导体硅，源、漏区由离子注入掺杂P型硅或掺杂N型硅组成，其特征在于栅氧化层和硅之间的界面为单原子级平整，界面电荷数在1×1010/厘米2量级范围，沟道区域的载流子有效迁移率比常规MOSFET提高70-100%。