发明名称 | 制造薄膜线条的方法 | ||
摘要 | 本发明叙述了一种利用光刻厚的光致抗蚀剂,并继而电化选择生长金属的技术制造薄膜线条的方法。本发明的方法可以制得具有高分辨率的非常薄(2-10微米)的线条(8),即侧壁面(9)几乎是垂直的,宽度的公差仅约一微米。这种结果是采取了下列措施取得的,即采用聚酰亚胺作厚的光致抗蚀剂(3),让其经历特殊的固化期,采用特殊的干蚀刻工艺在聚酰亚胺层上制得凹座(6),其后,在凹座(6)内制备线条(8)。 | ||
申请公布号 | CN1006597B | 申请公布日期 | 1990.01.24 |
申请号 | CN86102448.6 | 申请日期 | 1986.04.19 |
申请人 | 西门斯电信公司 | 发明人 | 吉亚姆比罗·弗拉里斯;阿东尼奥·特萨尔维 |
分类号 | H05K3/18 | 主分类号 | H05K3/18 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人 | 孙令华;林柏楠 |
主权项 | 1.一种利用光刻厚的光致抗蚀剂,并继而电化选择生长金属的技术在绝缘基底上制造薄膜线条的方法,其特征在于:在绝缘基底上敷盖一金属性层;制备厚光致抗蚀剂:在金属性层上涂覆第一层聚酰亚胺,接着进行第一次固化,再继以涂覆第二层聚酰亚胺,并接着进行第二次固化,该第一和第二层聚酰亚胺固化层形成单一均匀的聚酰亚胺层;在聚酰亚胺层敷盖一金属层;在金属层上敷盖一光敏漆层;使该光敏漆通过使用金属掩膜被紫外光曝光;使曝光的光敏漆显影,从而在光敏层上得到一些凹座;蚀刻所述金属层从而在金属层上产生一些凹座;在第一次特定时间内用氧气等离子体对聚酰亚胺层进行蚀刻;该蚀刻在聚酰亚胺层上产生壁几乎是垂直的凹座;在凹座内电化选择沉积金属线条,该金属线条的特点是其壁几乎是垂直的;去除所述金属层;在第二次特定时间内用氧气等离子体对聚酰亚胺进行蚀刻;在该第二次特定的时间之后,用氩气代替氧气在第三次特定的时间是再进行蚀刻。 | ||
地址 | 意大利米兰 |