| 主权项 |
1.一种聚合方去,其包括在聚合条件下,将 至少一极性,丙烯酸型之-烯属的单体 与下列二者相接触反应: (i)四配位的有机硅,有机鍚或有机锗之 至少具有一起始位置的聚合起始物,以 (ii)催化剂,其为含有适当阳离子和含氧 之阴离子皂盐类,且其可形成 pka(DMSO)约为5至24的共轭酸。2.依申请专利范围第1. 项之方法,其中,极 性单体系选自于包含CH2=C(Y)X` , 及其混合物,其中: X为-CN,-CH=CHC(O)X` or-C(O)X`; Y为-H,-CH3,-CNor-CO2 R ,然而,当X为-CH=CHC(O)X `,则Y为-Hor-CH3; X`为一OSi(R1)3,-R,-OR or-NR"; 每一R1分别为H或者 当至少月R1不为H时,其为最多含有20 个碳原子之脂族的,脂环族的,芳香族的 或混合的脂族和芳香族之烃基团; R为含有多至20个碳原子之脂族的,脂环 族的,芳香族的或混合的脂族的和芳香族 的烃基团,或为至少含有20个碳原子之聚 合基任一种所述之基任意地含有一个或一 个以上氧原子于其脂族的片断,任意地 含有在聚合条件下不反应性的官能取代基 ,以及任意地含有一个或更多的式通式为- Z`(O)C-C(Y1)=CH2之反应 性取代基,其中Y1为氢或甲其而Z` 为氧或NR`,以及每一R`和R"分别 地选自于C1-4烷基。3.如申请专利范围第2.项之方 法,该起始物 系选自于包含(R1)3MZ,(R1)2M (Z1)2 and O [M(R1)2Z1]2之族 群,其中: R1如单体中之定义 Z为选自于下列族群之活化的取代基: -SR,OP(NR'R")2,-OP (OR1)2, -OP[OSi(R1)3]2及其混合物 ; z1为活性的取代基-OC=C-R2; R、R1.R'、R"、X'和Z'口单 体中所定义; 每一R2和R3分别选自于H和烃基,其系 如以上R 所定义者; m为2,3或4; n为3,4或5,以及 M为Si,Sn或Ge然而,当Z为 M为Sn或Ge, (a)在起始物中至少有任一R,R2 和R3任意地含有一个或更多的通式为- Z2-M(R1)3的起始取代基,其中: M和R1之定义如上; Z2为选自于包含下列所示之活性基: 其中R2,R3,X',Z',m和n定义 如上,然而当Z2为 时, M为Sn或Ge, (b)R2和R3连接一起代表 Z2为-Z'C-C(R2)(R2)-, 以及 (c)X'和任一R2或R3连接一起代 表 若Z为 则Z2为-C(R2)-CX'4.如申请专利范围第1.项之方法,其 中,共 轭酸之pka(DMSO)大于6而小于21。5.如申请专利范围 第1.项之方法,其中,共 轭酸之pka(DMSO)大于8而小于18。6.如申请专利范围 第3.项之方法,其中,共 轭酸之pka(DMSO)大于6而小于21。7.如申请专利范围 第3.项之方法,其中,共 轭酸之pka(DMSO)大于8而小于18。8.如申请专利范围 第1.项之方法,其中,共 轭酸之通式为[Q(X1OH)p]q,其 中 Q之会数为P,系为CN,N(O),P (O),PH(O),R4或R34 Si; 每碳原子之聚合基; X1为C(O),S(O)或一单键;而 每一p和q为至少1之整数。9.如申请专利范围第8.项 之方法,其中X1 为C(O)。10.如申请专利范围第9.项之方法,其中Q 为CN或N(O),而每一p和q均为1 。11.如申请专利范围第9.项之方法,其中Q 为R4,而 q为1或2。12.如申请专利范围第11.项之方法 ,其中R 4为C1-20烃基。13.如申请专利范围第12.项之方法,其 中R 4为1-8烷基,苯基或经取代之苯基,且 q为1或2。14.如申请专利范围第8.项之方法,其中X 1为单键。15.如申请专利范围第14.项之方法,其中Q 为R4,且系为苯基或经取代之苯基而q 为1或2。16.如申请专利范围第8.项之方法,其中, X2为S(O)而Q为R4。17.如申请专利范围第16.项之方法, 其中, R4为C1-20烃基。18.如申请专利范围第17.项之方法, 其中R 4为苯基或经取代苯基而q为1或2。19.如申请专利范 围第1.项之方法,其中, 含氧之阴离子为含单氧之阴离子。20.如申请专利 范围第1.项之方法,其中, 含氧之阴离子为含双氧之阴离子。21.如申请专利 范围第1.项之方法,其中, 含氧之阴离子系为含单氧一和双氧久阴离 子的混合物。22.如申请专利范围第21.项之方法,其 中, 共混合物包括pka(DMSO)约为5至24之共 轭酸。23.如申请专利范围第19.项之方法,其中, 含氧之阴离子为羰酸酯。24.如申请专利范围第23. 项之方法,其中, 含氧之阴离子系为乙酸酯,苯甲酸酯或经 取代之苯甲酸酯。25.如申请专利范围第24.项之方 法,其中, 经取代之苯甲酸酯系为氯基苯甲酸酯。26.如申请 专利范围第20.项之方法,其中, 含氧之阴离子系为二乙酸酯,二苯甲酸酯 或经取代二苯甲酸酯。27.如申请专利范围第19.项 之方法,其中, 含氧之阴离子为苯甲酸酯或经取代之苯甲 酸酯。28.如申请专利范围第20.项之方法,其中, 含二氧之离子为二苯甲酸酯或二(经取 代苯甲酸酯)。29.如申请专利范围第1.项所请之方 法,其 中,含氧之阴离子系为亚磺酸酯。30.如申请专利范 围第1.项所请之方法,其 中,含氧之阴离子为芳族的或经取代之芳 族的亚磺酸酯。31.如申请专利范围第1.项所请之 方法,其 中,含氧之阴离子为亚硝酸酯或氰酸酯。32.如申请 专利范围第1.项所请之方法,其 中,适当的阳离子为四级铵离子,三(二 烷胺基)铳离子或硷金属或硷土金属阳离 子。33.如申请专利范围第32.项之方法,其中, 阳离子系为四烷基铵离子。34.如申请专利范围第 33.项之方法,其中, 阳离子为四丁基铵离子。35.如申请专利范围第32. 项之方法,其中, 阳离子为三(二甲胺基)铳离子。36.如申请专利范 围第24.项之方法,其中, 适当的阳离子为四烷基铵离子。37.如申请专利范 围第36.项之方法,其中阳 离子为四丁基铵离子。38.如申请专利范围第37.项 之方法,其中, 含氧之阴离子的盐类为乙酸四丁基铵酯。39.如申 请专利范围第25.项之方法,其中, 含氧之阴离子的盐类为间-氯基苯甲酸四 丁基铵酯。40.如申请专利范围第26.项之方法,其中 , 适当之阳离子为四烷基铵离子。41.如申请专利范 围第40.项之方法,其中, 阳离子为四丁基铵离子。42.如申请专利范围第27. 项之方法,其中, 适当的阳离子为四烷基铵离子。43.如申请专利范 围第42.项之方法,其中, 阳离子系为四丁基铵离子。44.如申请专利范围第 28.项之方法,其中, 适当的阳离子为四烷基铵离子。45.如申请专利范 围第44.项之方法,其中, 阳离子为四丁基铵离子。46.如申请专利范围第21. 项之方法,其中, 混合物包括单一或二羧酸酯。47.如申请专利范围 第21.项之方法,其中, 混合物包括单一或二苯甲酸酯或单一或二 (经取代之苯甲酸酯)。48.制备申请专利范围第21. 项之混合物的方 法,其中,适当的含单氧之阴离子在原地 配制且立即和一或更多的pka(DMSO)为约 5至24的共轭酸反应而得。49.如申请专利范围第48. 项之方法,其中, 1当量之盐类和0.1至约2当量的共轭酸 反应。50.如申请专利范围第1.项之方法,其中, 所制得之聚合物是为〞活〞的,且在其〞 活〞端含有起始物之硅、锗或鍚。51.如申请专利 范围第3.项之方法,其中, 所制得之聚合物是为〞活〞的,且在其〞 活〞端含有起物之硅、锗或鍚。52.如申请专利范 围第20.项之方法,其中, 含二氧之阴离子系和pka(DMSO)约为5至 24之共轭酸相混合。 |
