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发明名称 HIGH PRESSURE-TIGHT MOS TYPE TRANSISTOR
摘要
申请公布号 JPH0214576(A) 申请公布日期 1990.01.18
申请号 JP19880162696 申请日期 1988.07.01
申请人 MATSUSHITA ELECTRON CORP 发明人 YAMAMOTO MASAHARU
分类号 H01L29/78 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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