| 发明名称 |
SPOSITIVI A SEMICONDUTTORE CON GIUNPROCESSO PER LA FABBRICAZIONE DI DIZIONI PLANARI A CONCENTRAZIONE DI CARICA VARIABILE E AD ALTISSIMA TENSIONE DI BREAKDOWN |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
IT1214805(B) |
申请公布日期 |
1990.01.18 |
| 申请号 |
IT19840006616 |
申请日期 |
1984.08.21 |
| 申请人 |
SGS-ATES COMPONENTI ELETTRONICI S.P.A. ORA SGS MICROELETTRONICA SPA |
发明人 |
FERLA GIUSEPPE;MUSUMECI SALVATORE |
| 分类号 |
H01L21/265;H01L21/331;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/36;H01L29/73;H01L29/732;(IPC1-7):H01L/ |
主分类号 |
H01L21/265 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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