掺杂剂均匀分布的固体摄像器及其制造方法

摘要

一种固体摄像器的制造方法，通过中子辐射P型硅Si圆片的原子嬗变法，将部分的组成元索Si改变成n型杂质磷P，从而将衬底改变为n型，并产生一个电阻率ρ，为10至100欧姆-厘米，或最好是40至60欧姆-厘米的Si衬底。然后用生成的硅衬底按上述方法制造一个具有个光敏器件和垂直及水平移位寄存器的固体摄像器。

主权项

1.一种生产固体摄像器件衬底的方法，其特征包括下列步骤：从非掺杂硅熔体生长一种电阻率高于100欧姆-厘米的P型硅单晶；从所说硅单晶形成一硅圆片，并用中子辐射至所说硅圆片上，以形成电阻率范围在10至100欧姆-厘米的n型硅衬底。