| 发明名称 |
MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING FIELD OXIDE LAYER TOTALLY OR PARTIALLY BURIED |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH0212822(A) |
申请公布日期 |
1990.01.17 |
| 申请号 |
JP19890085860 |
申请日期 |
1989.04.06 |
| 申请人 |
PHILIPS GLOEILAMPENFAB:NV |
发明人 |
HERUBERUTO RIFUKA;PIEERE HERUMANUSU UOORURII |
| 分类号 |
H01L21/76;H01L21/316;H01L21/32;H01L21/762 |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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