| 摘要 |
<P>Un procédé pour la fabrication d'alliages de silicium-germanium, caractérisé en ce que, au départ, un gaz de SiH4 , un gaz de GeCl4 et un gaz dopant du type à conductivité sont introduits dans une enceinte à réaction, en ce qu'un élément d'alliage de silicium-germanium est déposé sur un substrat chauffé à une température non inférieure à 750 degre(s)C dans l'enceinte à réaction, en ce qu'un gaz de SiH4 un gaz de GeCl4 et un autre gaz dopant du type à conductivité opposée à celle du premier gaz dopant sont ensuite introduits sur ledit premier élément d'alliage de silicium-germanium, et en ce qu'un autre (second) élément d'alliage de silicium-germanium du type à conductivité opposée à celle du premier élément d'alliage de silicium-germanium est déposé sur ledit premier élément d'alliage de silicium-germanium, et en ce que cette opération continue en série est répétée deux fois ou plus.</P>
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