Systèmes de détection de rayons X basés sur les propriétés optiques non linéaires de structures semiconductrices à puits quantiques multiples (MQW). Les rayons X produisent des vecteurs qui modifient l'indice de réfraction du matériau MQW. La lumière provenant d'un faisceau échantillon peut être dispersée ou réfléchie par la structure MQW et modulée par le changement d'indice de réfraction provoqué par les vecteurs produits par les photons de rayons X incidents. Illustration d'applications planaire et avec microétalon.
