Photodiode and photodiodes matrix with II-VI material, and processes for their production.

摘要

Les photodiodes (48) sont formées dans une couche semi-conductrice (13) en Hg1-xCdxTe de type P avec 0 <= x <= 1, déposée directement sur un substrat isolant (11) en CdTe, comportant une zone active (37) de type N, un premier contact électrique (47) sur la couche semi-conductrice, un second contact électrique (45) sur la zone active, un isolant (21) séparant les premier et second contacts électriques et une tranchée d'isolement (15) dont la profondeur est supérieure à l'épaisseur de la zone active, entourant la zone active, le premier contact électrique (47) étant logé dans le fond (27) de la tranchée.