Power MOSFET with a temperature sensor.

摘要

Im Gehäuse (1) eines Leistungs-MOSFET ist auch ein Temperatursensor (9) untergebracht, der in thermischem Kontakt mit dem Leistungs-MOSFET steht. Der Sensor ändert seinen Widerstand zwischen zwei seiner Anschlüsse (A, K) abhängig von der Temperatur des Leistungs-MOSFET. Die beiden Anschlüsse sind mit je einem Anschlußleiter (4, 6) verbunden, die zusätzlich zu den dem Leistungs-MOSFET zugeordneten Anschlußleitern (3, 5, 7) aus dem Gehäuse führen.