| 发明名称 |
PROCESSO PER LA FABBRICAZIONE DI DISPOSITIVI SEMICONDUTTORI MOS DI POTENZA E DISPOSITIVI CON ESSO OTTENUTI |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
IT8922891(D0) |
申请公布日期 |
1989.12.29 |
| 申请号 |
IT19890022891 |
申请日期 |
1989.12.29 |
| 申请人 |
SGS-THOMSOM MICROELECTRONICS SRL |
发明人 |
FERLA GIUSEPPE;MAGRO CARMELO;LANZA PAOLO |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/336;H01L29/45;H01L29/49;H01L29/78;(IPC1-7):H01L/ |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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